一种晶体生长装置及系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体生长装置及系统，晶体生长装置，包括：坩埚；冷却气体通道，与所述坩埚的外底部连接；氦气进气管，位于所述冷却气体通道内；辅助气体进气管，位于所述冷却气体通道内；其中，所述辅助气体进气管中辅助气体的比热容大于所述氦气进气管中氦气的比热容。在氦气进气管的基础上增加辅助气体进气管，且辅助气体进气管中辅助气体的比热容大于进气管中氦气的比热容，利用大比热容的辅助气体加快坩埚的热交换，提高了晶体生长效率。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长装置及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123073981.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
CN216738626U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
齐红基赛青林吕晓炜
申请人 ：
杭州富加镓业科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢301室
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
秦胜军
优先权 ：
CN202123073981.7
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B28/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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