基于VGF法晶体生长用石英封帽以及晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开一种基于VGF法晶体生长用石英封帽以及晶体生长装置；所述石英封帽与石英管配合使用以实现石英管的密封，石英管内密封有晶体生长用坩埚，坩埚内盛装有晶体生长用原材料，所述原材料与石英封帽之间设置有自由空间；石英管具有开口；所述石英封帽包括盖住石英管的开口的盖体；其特征在于，所述石英封帽具有温控部，所述温控部凸出所述盖体向上，所述温控部具有通向所述石英管的内腔。通过对VGF法晶体生长用的石英封帽、晶体生长装置以及加热工艺的配合改进，能够比较容易的对自由空间的蒸气压进行控制；让自由空间的蒸气压始终处于稳定的状态，从而得到均匀掺杂的单晶体。
基本信息
专利标题 ：
基于VGF法晶体生长用石英封帽以及晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922459336.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211620660U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
赵有文沈桂英段满龙杨俊卢伟刘鹏
申请人 ：
珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市高新区金鼎工业片区金园一路6号8栋厂房
代理机构 ：
广东朗乾律师事务所
代理人 ：
闫有幸
优先权 ：
CN201922459336.5
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/40 C30B31/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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