一种用于半导体晶体生长的石英管及装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供了一种用于半导体晶体生长的石英管,石英管具有一条虚拟中心轴,石英管包括管壁、中空通道、以及两端的圆形开口,石英管整体以所述虚拟中心轴中心对称,石英管水平放置时从左至右依次包括第一段管、与第一段管一体固定连接的过渡段管、以及与过渡段管一体固定连接的第二段管,任意通过所述虚拟中心轴的某一平面与过渡段管的管壁相交部呈W型壁和M型壁,W型壁和M型壁以所述虚拟中心轴平面对称。本实用新型提供了一种用于半导体晶体生长的装置,所述装置包括上述石英管、单晶石英管、PBN坩埚、石英舟和石英帽。本实用新型的用于半导体晶体生长的石英管、用于半导体晶体生长的装置实现从原料砷和镓一步生长成砷化镓单晶。
基本信息
专利标题 :
一种用于半导体晶体生长的石英管及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921549400.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-17
授权号 :
CN210856412U
授权日 :
2020-06-26
发明人 :
王金灵周铁军严卫东马金峰
申请人 :
广东先导先进材料股份有限公司
申请人地址 :
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
颜希文
优先权 :
CN201921549400.2
主分类号 :
C30B29/42
IPC分类号 :
C30B29/42 C30B11/04
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2022-01-04 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 29/42
登记生效日 : 20211222
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 广东先导先进材料股份有限公司
变更后权利人 : 广东先导微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区
变更后权利人 : 511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
登记生效日 : 20211222
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 广东先导先进材料股份有限公司
变更后权利人 : 广东先导微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区
变更后权利人 : 511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
2020-06-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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