适用于半导体晶体生长的双温加热炉
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种适用于半导体晶体生长的双温加热炉，采用微机自动控温，在主温区温度变化过程中，副温区的位置和坪长能保持恒定，或者当主、副温区温度同时按预定的要求变化时，主温区和副温区的坪的位置和长度均保持不变。应用于半导体晶体材料合成、加热退火、扩散、薄膜生长等具有控温准确，成品率高，重复性好等优点。
基本信息
专利标题 ：
适用于半导体晶体生长的双温加热炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN88206324.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1988-05-27
授权号 ：
CN2034176U
授权日 ：
1989-03-15
发明人 ：
丁祖昌华伟民过云龙
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN88206324.3
主分类号 ：
C30B25/10
IPC分类号 ：
C30B25/10 G05D23/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/10
反应室或衬底的加热
法律状态
1996-07-17 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-08-25 ：
专利权有效期的续展(依据修改前的专利法第45条)
1989-12-13 ：
授权
1989-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
