人工晶体生长的温场调控装置和温场动态调控方法

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摘要

本发明涉及一种人工晶体生长的温场调控装置。所述人工晶体生长的温场调控装置包括温场调节单元、控制单元以及电磁屏蔽结构。所述温场调节单元包括盖设在晶体溶液容器上方的保温盖，所述保温盖的侧壁上设置有垂直距离不同的散热窗，每个散热窗上都设有可改变散热窗孔洞大小的调节板；所述控制单元根据当前温度信息、电源功率信息以及晶体直径信息，实时调整各调节板的开合方向及速度，实现晶体生长温场的动态调整；所述电磁屏蔽结构消除电磁场对装置的负面影响。本发明保证了高品质大尺寸人工光电单晶的稳定生长，并显著降低单晶生长的电能消耗，具有很强的应用价值。

基本信息

专利标题：

人工晶体生长的温场调控装置和温场动态调控方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112795980A

申请号：

CN202011521644.7

公开（公告）日：

2021-05-14

申请日：

2020-12-21

授权号：

CN112795980B

授权日：

2022-05-20

发明人：

龙思卫王彪王文佳林少鹏朱允中刘秩桦

申请人：

中山大学

申请人地址：

广东省广州市海珠区新港西路135号

代理机构：

广州骏思知识产权代理有限公司

代理人：

吴静芝

优先权：

CN202011521644.7

主分类号：

C30B15/20

IPC分类号：

C30B15/20