一种晶体生长动态温场调节装置
实质审查的生效
摘要

一种晶体生长动态温场调节装置,包括炉体、加热感应圈、坩埚和籽晶提拉杆,顶部连接单晶提拉机构,还包括:保温罩,立放于炉体上方,底部与炉体形成生长腔,其上设置有将生长腔连通至外部的炉孔和贯通孔,炉孔提供籽晶提拉杆垂直活动空间;环形反射器,设于生长腔内与单晶同轴且位于单晶溶液上3‑20mm,用于控制单晶与单晶溶液接触面的温度梯度;随动杆,下端通过贯通孔,后连接环形反射器,上端连接随动机构,随动机构被配置为控制环形反射器在单晶溶液上的高度。本发明的突出优势在于可在现有的生长炉上进行升级改造,改造难度和成本低,通过预设程序控制环形反射器在单晶溶液上的高度即可达到保证单晶外形规整和内部质量的显著技术效果。

基本信息
专利标题 :
一种晶体生长动态温场调节装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318505A
申请号 :
CN202210012625.4
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-01-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
夏钰坤夏宗仁夏文英张婷
申请人 :
江西匀晶光电技术有限公司
申请人地址 :
江西省九江市开发区长城路121号恒盛科技园内
代理机构 :
南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
毛毛
优先权 :
CN202210012625.4
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14  C30B15/20  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/14
申请日 : 20220107
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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