一种光学晶体生长反应釜用温场平衡装置
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摘要

一种光学晶体生长反应釜用温场平衡装置,包括底座,底座的顶部固定安装有炉体和位于炉体右侧的支撑架,炉体的内部设置有温场平衡机构,温场平衡机构由侧反射屏、固定盘、下反射屏、耐高温保温层和发热体组成,固定盘的中部设置有钨棒,钨棒的顶端依次贯穿固定盘、下反射屏和发热体并延伸至发热体的内部且放置有坩埚,坩埚外表面的顶部设置有上反射屏,底座的顶部设置有炉盖,炉盖和底座之间设置有若干个限位机构。本实用新型通过设置耐高温保温层能够对侧反射屏起到保温隔热的作用,从而减少发热体的温度由侧反射屏扩散出去造成资源的浪费,并且能够防止炉体温度升高烫伤操作人员,提高了该温场平衡装置的安全性。

基本信息
专利标题 :
一种光学晶体生长反应釜用温场平衡装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921754541.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-18
授权号 :
CN210711822U
授权日 :
2020-06-09
发明人 :
王依福王炳予
申请人 :
兴山兴蓝光电科技有限公司
申请人地址 :
湖北省宜昌市兴山县古夫镇香溪大道5号
代理机构 :
宜昌市三峡专利事务所
代理人 :
余山
优先权 :
CN201921754541.8
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2020-06-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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