一种光学晶体生长反应釜的冷却结构
授权
摘要
一种光学晶体生长反应釜的冷却结构，包括反应釜本体，反应釜本体的中部开设有环形槽，环形槽的内部设置有主冷却组件，主冷却组件由圆管、若干个环形管、入液管、排液管和阀门组成。该种光学晶体生长反应釜的冷却结构，通过四个入液管和两个排液管的分布，使冷却液可以通过圆管的顶端和底端同时通入，并通过排液管排出，缩短了冷却液的行程，进而使冷却液再排出前可以保持良好的冷却效率，防止因冷却液行程过长造成反应釜本体筒壁冷却不均匀的问题，提升冷却的均匀性，并且通过圆管和环形管的热传递，使冷却液没有与反应釜本体直接接触，防止造成冷却液在高温下腐蚀反应釜本体。
基本信息
专利标题 ：
一种光学晶体生长反应釜的冷却结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921736879.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-16
授权号 ：
CN210657219U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
王依福王炳予
申请人 ：
兴山兴蓝光电科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省宜昌市兴山县古夫镇香溪大道5号
代理机构 ：
宜昌市三峡专利事务所
代理人 ：
余山
优先权 ：
CN201921736879.0
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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