一种应用于人工晶体生长陶瓷温场的Z型拼接结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种应用于人工晶体生长陶瓷温场的Z型拼接结构，人工晶体生长装置技术领域，包括陶瓷温场炉体，所述陶瓷温场炉体包括若干个交错式拼接环形温场砖结构件，所述环形温场砖结构件包括若干个首尾拼接的温场砖本体。本实用新型将陶瓷温场炉体设计成由弧形结构的温场砖本体通过其两端的第一Z型拼接面和第二Z型拼接面呈环形Z型错缝连接组成环形温场砖结构件，再由环形温场砖结构件通过温场砖本体上的弧形环形拼接凸台与弧形拼接槽相互配合叠加拼接成陶瓷温场炉体，整体结构简单，安装方便。并且分层叠加拼接组成，在本实用新型的顶部开口位置处出现意外碰撞损坏时可以直接对开口位置的温场砖本体进行更换，维修方便。
基本信息
专利标题 ：
一种应用于人工晶体生长陶瓷温场的Z型拼接结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020539104.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-14
授权号 ：
CN212505160U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
梁新星梁奇星刘小钢刘耀丽张宁巴亚丽杨丽莎刘亚龙黄文隆高彦伟刘晓娟
申请人 ：
郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司
申请人地址 ：
河南省郑州市新密市苟堂镇石桥村北头小组
代理机构 ：
郑州青鸟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
谢萍
优先权 ：
CN202020539104.0
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 F27D1/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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