防止冷点偏移装置以及光学晶体生长设备
授权
摘要
本申请涉及光学晶体生长设备技术领域，尤其是涉及一种防止冷点偏移装置以及光学晶体生长设备。一种防止冷点偏移装置，包括：坩埚、固定构件以及加热件；坩埚设置在所述固定构件上，加热件环绕所述坩埚设置；固定构件能够固定坩埚以使坩埚与加热件同轴。本申请中利用固定构件固定坩埚，使得坩埚与所述加热件同轴，即保证了坩埚的轴线与加热件发出热量构成的温场的轴线重合，从而确保晶体的冷点不偏移，有利于引晶和放肩，保证了坩埚内的晶体各处生长速率一致。
基本信息
专利标题 ：
防止冷点偏移装置以及光学晶体生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021330222.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-08
授权号 ：
CN212713843U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
杨勇赖维明
申请人 ：
成都东骏激光股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市蒲江县鹤山镇工业开发区
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
毕翔宇
优先权 ：
CN202021330222.7
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B28/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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