一种半导体芯片双温trim测试方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体芯片双温trim测试方法，使芯片在常温下完成第一次trim后，将中间测试结果存储到flash中供高温trim使用，之后切换到高温下再完成第二次trim，使芯片在常温/高温下的表现都能达到预期。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体芯片双温trim测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114355151A
申请号 ：
CN202111395035.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜京哲赵来钖张楠
申请人 ：
北京中电华大电子设计有限责任公司
申请人地址 ：
北京市昌平区北七家镇未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111395035.6
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28 G06F30/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20211123
申请日 : 20211123
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
