半导体测试芯片
授权
摘要

本实用新型提供一种半导体测试芯片,供用于半导体组件的打线可靠度测试,包含半导体基底及至少一设置在该半导体基底上的测试芯片,该至少一测试芯片具有反向该半导体基底的顶面,及至少一自该顶面对外裸露的电连接垫,该电连接垫具有金属层及形成于金属层的至少部分表面的金属化合物层,其中,该金属化合物层包括金属氧化物,且该金属化合物层的厚度介于2nm至50nm。通过该金属化合物层的组成、厚度及图样的其中至少一种,仿真半导体组件的电连接垫的表面状态,或于不同环境的氧化及腐蚀破坏状况,得以加速利用该半导体测试芯片进行可靠度测试时的反应进行,以减少可靠度测试的时间。

基本信息
专利标题 :
半导体测试芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022159855.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-27
授权号 :
CN212907649U
授权日 :
2021-04-06
发明人 :
郭浩中丁肇诚
申请人 :
丁肇诚
申请人地址 :
中国台湾新竹市
代理机构 :
北京泰吉知识产权代理有限公司
代理人 :
史瞳
优先权 :
CN202022159855.2
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2021-04-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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