半导体芯片的高温测试平台
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体芯片的高温测试平台，该高温测试平台包括底座以及布置在所述底座上的测试治具、测试主板和加热装置，所述测试治具具有用于放置半导体芯片的测试腔；所述测试主板用于与置于所述测试腔内的半导体芯片电连接；所述加热装置设置在所述测试治具上并用于对置于所述测试腔内的半导体芯片进行加热。本实用新型实现了半导体芯片在高温环境下进行测试。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片的高温测试平台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020349711.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-18
授权号 ：
CN212364495U
授权日 ：
2021-01-15
发明人 ：
刘冲李振华
申请人 ：
深圳佰维存储科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城4号厂房1楼、2楼、4楼、5楼
代理机构 ：
深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
隆毅
优先权 ：
CN202020349711.0
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28 G01R1/04
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2021-01-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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