半导体芯片的老化测试装置
授权
摘要

本实用新型公开一种半导体芯片的老化测试装置,包括安装在箱体中的芯片夹具、测试板、驱动电路板和电池,所述箱体中安装有一隔板,此隔板将箱体内的空间分隔成一测试腔和驱动腔,所述芯片夹具与测试板安装在测试腔中,所述驱动电路板和电池安装在驱动腔中;所述芯片夹具包括加热板、芯片载板和芯片电路板,所述测试板上开有若干个夹具槽,所述芯片夹具嵌于此夹具槽中,且所述测试板上安装有一集成电路板,此集成电路板上具有与外接触点电连接的集成探针和与集成探针电连接的测试插头,此测试插头与驱动电路板电连接。本实用新型该老化测试装置不仅能够提供芯片测试环境,实现芯片的老化测试,还能实现芯片批量化测试,提高测试效率。

基本信息
专利标题 :
半导体芯片的老化测试装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921648857.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-30
授权号 :
CN211043577U
授权日 :
2020-07-17
发明人 :
罗跃浩黄建军胡海洋
申请人 :
苏州联讯仪器有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区湘江路1508号5幢
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
王健
优先权 :
CN201921648857.9
主分类号 :
G01R31/28
IPC分类号 :
G01R31/28  G01R31/26  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试,例如用信号故障寻测器
法律状态
2020-07-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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