半导体装置、半导体芯片以及半导体芯片的测试方法
授权
摘要

本发明涉及半导体装置、半导体芯片以及半导体芯片的测试方法。目的在于提供能够在不招致输出特性的劣化和装置规模的增大的情况下实施制品出货前的测试的半导体装置、半导体芯片以及其测试方法。具有:第一线;信号处理电路,将进行信号处理而生成的第一输出信号向第一线送出;第一短路用焊盘,连接于第一线;第一输出焊盘;输出线,连接于第一输出焊盘;半导体芯片,形成有第一开关,所述第一开关在接通状态时将第一线与输出线连接而在关断状态时切断第一线与输出线的连接;以及第一布线,将第一短路用焊盘与第一输出焊盘连接。

基本信息
专利标题 :
半导体装置、半导体芯片以及半导体芯片的测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN107393842A
申请号 :
CN201710293925.3
公开(公告)日 :
2017-11-24
申请日 :
2017-04-28
授权号 :
CN107393842B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
政井英树
申请人 :
拉碧斯半导体株式会社
申请人地址 :
日本神奈川县横滨市
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
闫小龙
优先权 :
CN201710293925.3
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-13 :
授权
2018-10-12 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20170428
2017-11-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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