一种大尺寸晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种大尺寸晶体生长装置，其由内向外依次包括：晶体生长室、第一石英管、感应线圈、第二石英管，晶体生长室用于生长大尺寸晶体，感应线圈呈螺旋状缠绕设置于第一石英管外侧，感应线圈的匝间距为0‑6mm，感应线圈设置在旋转机构上，旋转机构控制感应线圈转动。本实用新型通过优化感应线圈的设置，来提高感应线圈产生磁场的均匀性，可以使晶体生长室四周的温度尽可能均匀，有效地减少晶体四周厚度不均匀的现象，有效地减少料面出现的某一方向上的塌陷，使晶体生长室沿各个方向上被侵蚀的速率一样，增加了这些耗材的使用次数和长晶的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921714149.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN211227433U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
方帅高超刘圆圆周敏张虎姜岩鹏黄治成
申请人 ：
济宁天岳新材料科技有限公司
申请人地址 ：
山东省济宁市高新区崇文大道6699号
代理机构 ：
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王宽
优先权 ：
CN201921714149.0
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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