一种低能耗的碳化硅晶体生长热场装置
授权
摘要

本实用新型涉及热场装置技术领域,且公开了一种低能耗的碳化硅晶体生长热场装置,包括真空箱本体。该低能耗的碳化硅晶体生长热场装置,通过在碳化硅晶体时生长的时候,坩埚本体盖上的晶体的厚度会随着增加,通过旋转电机带动螺纹杆进行转动,使得螺纹块在螺纹杆的外表面向上移动,通过连接板使得限定杆外表面的活动块随着螺纹块同时向上移动,经过限定杆与活动块使得螺纹块向上移动的时候,避免其自转,当连接板向上移动,使得连接柱带着第二绝热元件向上移动,增加与坩埚本体的距离,第二绝热元件的等效热阻随着距离增大而减小,通过保持第二绝热元件与坩埚本体的距离,来保证结晶温度保持不变,达到了成型质量高的目的。

基本信息
专利标题 :
一种低能耗的碳化硅晶体生长热场装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921544714.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-17
授权号 :
CN210560882U
授权日 :
2020-05-19
发明人 :
张新峰王炜
申请人 :
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号
代理机构 :
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 :
丁国勇
优先权 :
CN201921544714.3
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B15/14  C30B15/20  C30B15/30  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-05-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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