本实用新型公开了一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置，包括籽晶、碳化硅原料、坩埚、晶体生长腔、电阻加热器电极、电阻组合式加热器和保温材料层，所述坩埚的内部空腔中填充有碳化硅原料，所述坩埚的顶部内壁向内凸起，且内壁表面上设有籽晶，所述坩埚的外部套接有组合式加热器，所述组合式加热器由多个相互堆叠的电阻加热器组成，所述电阻加热器的两端为电阻加热器电极，所述坩埚和组合式加热器的外部包覆有保温材料层，所述电阻加热器电极贯穿保温材料层并向外延伸，多个所述电阻加热器电极成螺旋状排布，所述保温材料层的外侧设有晶体生长腔。通过热场分段加热方式的改变，可以提高碳化硅晶体的生长高度。