一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置,包括籽晶、碳化硅原料、坩埚、晶体生长腔、电阻加热器电极、电阻组合式加热器和保温材料层,所述坩埚的内部空腔中填充有碳化硅原料,所述坩埚的顶部内壁向内凸起,且内壁表面上设有籽晶,所述坩埚的外部套接有组合式加热器,所述组合式加热器由多个相互堆叠的电阻加热器组成,所述电阻加热器的两端为电阻加热器电极,所述坩埚和组合式加热器的外部包覆有保温材料层,所述电阻加热器电极贯穿保温材料层并向外延伸,多个所述电阻加热器电极成螺旋状排布,所述保温材料层的外侧设有晶体生长腔。通过热场分段加热方式的改变,可以提高碳化硅晶体的生长高度。
基本信息
专利标题 :
一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020258393.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-05
授权号 :
CN211497868U
授权日 :
2020-09-15
发明人 :
汪良王旻峰付芬邓树军
申请人 :
福建北电新材料科技有限公司
申请人地址 :
福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦
代理机构 :
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
汤东凤
优先权 :
CN202020258393.7
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-09-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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