一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构
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摘要
本实用新型提供一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构。它包括中频加热线圈、石墨毡保温层、内坩埚、籽晶托、外坩埚、气体冷却装置和外坩埚盖，中频加热线圈设置在石墨毡保温层外圈，石墨毡保温层设置在外坩埚外圈，内坩埚与外坩埚构成可分离式嵌套结构的坩埚，内坩埚内装填碳化硅原料，籽晶托为内坩埚盖设置在内坩埚上方，外坩埚的坩埚壁呈梯度分布，由下至上直径逐渐变小，外坩埚盖上部设有均匀的气体冷却装置。本实用新型能够提高热场稳定性，使得工艺重现性大幅提高，从而提高大尺寸碳化硅晶体的质量，解决现有技术中的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020392242.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN212357456U
授权日 ：
2021-01-15
发明人 ：
左洪波杨鑫宏李铁阎哲华
申请人 ：
哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街357号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020392242.0
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-01-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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