一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置
公开
摘要
本发明提供一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置，包括生长炉、X射线原位成像模块和控制系统，生长炉由外至内包括炉壁、保温毡、板型电阻加热器和坩埚，X射线原位成像模块包括分别设于生长炉的单晶生长的径向方向的相对两侧的X射线源和X射线成像接收器；炉壁于径向方向的两侧具有用于X射线透过的非金属窗口，保温毡、板型电阻加热器和坩埚均由非金属材料制成；控制系统接收X射线成像接收器的成像信号，并控制X射线源和板型电阻加热器工作。该生长装置可满足大尺寸碳化硅PVT单晶生长所需的较小径向温度梯度和必要的轴向温度梯度，并且利用原位监测的信息反馈，对于高质量、大尺寸碳化硅单晶衬底的PVT生长过程调控具有重要的意义。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318515A
申请号 ：
CN202111543070.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康俊勇尹君康闻宇
申请人 ：
唤月照雪（厦门）科技有限责任公司
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区演武西路180号1402室之一
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202111543070.8
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
