一种碳化硅单晶生长装置
实质审查的生效
摘要
本发明属于碳化硅技术领域,尤其涉及一种碳化硅单晶生长装置。本发明通过用于盛放碳化硅单晶生长原料的坩埚,以及加热筒,还包括设置在坩埚上的升降杆单元,设置在升降杆单元上的箱体单元,以及设置在箱体单元上并用于调整升降杆单元位置的转盘单元起到了灵活调整加热温度的技术效果。本发明具有结构简单,安装方便,通过升降杆调整坩埚与加热筒的相对位置以实现温度控制,并且设置挤压杆部使得坩埚上升到一定高度便实现自锁功能停止上升避免与加热筒脱离导致温度过低,以及设置伸缩柱部使得坩埚下降到一定高度亦可实现自锁功能避免与加热筒接触导致温度过高,同时设置了弹簧、传动杆、传动绳等传动结构用于实现自动锁定和自动解锁的优点。
基本信息
专利标题 :
一种碳化硅单晶生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114438593A
申请号 :
CN202111580680.5
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2021-12-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
沈晓宇叶国伟刘博浩肯尼斯·奥佐门纳彼得·辛格张忠杰唐旭东韩江山李嘉炜
申请人 :
浙江东尼电子股份有限公司
申请人地址 :
浙江省湖州市吴兴区织里镇利济东路555号
代理机构 :
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 :
赵佳
优先权 :
CN202111580680.5
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/36
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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