一种碳化硅单晶生长用坩埚和生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚及生长装置，包括：第一坩埚，所述第一坩埚具有原料腔和位于所述原料腔上方的生长腔；第二坩埚，位于所述原料腔内；至少一层第一热辐射屏，位于所述第一坩埚和所述第二坩埚之间；所述第一坩埚、辐射热屏、第二坩埚之间的旋转对称轴重合；所述第一热辐射屏和所述第二坩埚的间距为1‑10mm。根据本实用新型提供的碳化硅单晶生长用坩埚受热时内部温度热场均匀，最大程度确保坩埚内SiC单晶生长用原料受热均匀，提高晶体成品质量。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅单晶生长用坩埚和生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020920610.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN212533200U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
薛卫明马远潘尧波
申请人 ：
中电化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
夏苗苗
优先权 ：
CN202020920610.4
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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