一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚
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摘要
本申请提供了一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚，通过将坩埚盖中靠近坩埚体的下表面设置为包括第二下表面、凸出于第二下表面的第一下表面，第一下表面和第二下表面之间形成倾斜的坩埚盖台阶面；同时，将坩埚体端口处的内壁设置为倾斜内壁。这样，坩埚盖与坩埚体装配后，坩埚盖台阶面与倾斜内壁相接触，进而坩埚盖与坩埚体之间以倾斜面密封。另外，在坩埚盖的第二下表面上开设有第一固定孔，坩埚盖与坩埚体通过穿设在第一固定孔中的坩埚紧固部件紧固，第二下表面与坩埚体的端口面之间具有一定的间距，坩埚盖的第二下表面与坩埚体的端口面之间的间隙，可以使该处的坩埚紧固部件完全暴露在坩埚外部的气氛中，进而可以使坩埚的使用寿命延长。
基本信息
专利标题 ：
一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020875855.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN212375418U
授权日 ：
2021-01-19
发明人 ：
胡小波王垚浩徐现刚于国建杨祥龙陈秀芳徐南
申请人 ：
广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南砂区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020875855.X
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-01-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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