一种碳化硅单晶生长设备

授权

摘要

本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长设备，包括：设备本体；保温层，设置在所述设备本体的内部；感应线圈，设置在所述设备本体的周围或者所述保温层的周围；承料坩埚，设置在所述保温层的内部；传热体；其中，所述保温层的顶部设有一开口，所述开口的底部为所述承料坩埚的顶端，所述开口用于容纳隔热结构；其中，所述隔热结构包括旋转升降机构和隔热屏，所述隔热屏由至少两层隔热板堆叠而成。本实用新型能够减小晶体内部的应力，提高晶体的质量。

基本信息

专利标题：

一种碳化硅单晶生长设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021350067.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-10

授权号：

CN212713846U

授权日：

2021-03-16

发明人：

马远薛卫明潘尧波

申请人：

中电化合物半导体有限公司

申请人地址：

浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

林凡燕

优先权：

CN202021350067.5

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 C30B11/00