本发明提供一种基于PVT法生长碳化硅单晶的设备及方法。设备包括生长腔体、坩埚、升降杆和用于承载原料的料仓，所述坩埚、升降杆和料仓均位于生长腔体内；所述料仓位于所述坩埚内，料仓包括多个相互独立的存料仓室；升降杆由坩埚底部向上穿过所述存料仓室的底部并延伸至存料仓室的顶部，通过上下升降所述升降杆，可将所述存料仓室的顶部密封或在存料仓室的密封顶部顶出气相原料通道。本发明可根据单晶不同生长阶段的需要，利用升降杆在不同的存料仓室顶部释放出气相原料通道，从而实现不同温区的原料逐步蒸发，确保整个单晶生长过程中，各组分浓度基本保持一致，有助于提高原料利用率和提高晶体生长质量。