一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及其制备方法，利用主加热器和辅助加热器的配合，通过上下移动坩埚的位置，可以实现生长坩埚内温度场的局域化调整，精确控制坩埚原料内部最高温区位置始终能够接近于粉料表面区域，进而避免生长过程中因粉料内部温度过高而表面温度过低导致的原料表面石墨化和原料碳或碳化硅非晶颗粒对单晶生长质量的破坏，从而制得大尺寸、高质量的碳化硅单晶。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411254A
申请号 ：
CN202111543071.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康俊勇尹君檀鹏康闻宇
申请人 ：
唤月照雪（厦门）科技有限责任公司
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区演武西路180号1402室之一
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202111543071.2
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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