碳化硅单晶液相生长装置及方法
公开
摘要
本发明提供了一种碳化硅单晶液相生长装置及方法，其中装置包括：长晶炉、顶部设置有开口的坩埚、可容纳坩埚的隔离罩以及通过开口伸入坩埚内部的籽晶杆；籽晶杆位于坩埚外部的一侧连接可进行升降和旋转的驱动机构；长晶炉内设置有加热元件；坩埚和隔离罩之间设置有保温层；隔离罩用于在容纳有坩埚和保温层的隔离罩放置在长晶炉内之后隔离坩埚和加热元件。本方案在碳化硅晶体的液相生长过程中，高温状态使坩埚内原料挥发，挥发物从坩埚顶部开口处外漏，隔离罩外漏至长晶炉内的挥发物和加热元件起到隔离作用，从而减少挥发物对加热元件的附着，进而降低加热元件在相同加热功率下提供的高温环境的温度差，起到稳定温场的作用，从而提高晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅单晶液相生长装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574944A
申请号 ：
CN202210276362.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张泽盛张广宇
申请人 ：
北京晶格领域半导体有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区中关村科技园区顺义区临空二路1号
代理机构 ：
北京格允知识产权代理有限公司
代理人 ：
王文雅
优先权 ：
CN202210276362.8
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/10 C30B15/14 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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