本实用新型提供了一种碳化硅单晶的生长装置，包括:长晶炉、第一坩埚、第二坩埚和旋转升降机构，所述长晶炉内部形成炉体腔室；所述第一坩埚底部分布有多个第一通孔；所述第二坩埚顶部分布有多个与第一通孔贯通的第二通孔，所述第二坩埚位于第一坩埚的下方，所述第一坩埚和第一坩埚均设置于所述炉体腔室中；所述旋转升降机构与第一坩埚和/或第二坩埚连接。本实用新型将第一坩埚底部开有多个第一通孔，第二坩埚顶部开有多个第二通孔，可以灵活控制第一通孔和第二通孔处于对齐相通状态，使第二坩埚中的富硅气相向籽晶方向输送，可以弥补第一坩埚内生长气氛中的硅碳比失衡的缺陷，解决硅碳比失衡问题，避免晶体生长过程中包裹体等缺陷的形成。