碳化硅单晶生长装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型涉及半导体材料长晶领域，具体涉及提供了一种碳化硅单晶生长装置，包括：承料坩埚，用于放置碳化硅原料；第一感应加热线圈，设置于整个承料坩埚的外周；第二感应加热线圈，设置于第一感应加热线圈的外周；第二感应加热线圈的位置靠近承料坩埚的底部，且第二感应加热线圈的频率大于第一感应加热线圈的频率。通过在第一感应加热线圈的外侧设置第二感应加热线圈，通过控制器根据温度数据独立控制第一感应加热线圈和/或第二感应加热线圈，以达到承料坩埚内部轴向温度梯度的“微调”，从而实现精确控制轴向温度梯度、获得理想晶体生长界面、得到高质量的碳化硅单晶的目的。

基本信息

专利标题：

碳化硅单晶生长装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921085672.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-11

授权号：

CN210856411U

授权日：

2020-06-26

发明人：

徐良蓝文安占俊杰阳明益刘建哲余雅俊

申请人：

浙江博蓝特半导体科技股份有限公司

申请人地址：

浙江省金华市南二环西路2688号

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司

代理人：

董李欣

优先权：

CN201921085672.1

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 C30B23/00