碳化硅单晶生长装置
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摘要
本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚，所述坩埚外周包裹有隔热层，所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区；在所述的碳化硅原料区，坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽，碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道；在所述的碳化硅单晶生长区，坩埚内腔中设置有石墨管，石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接，碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中，石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室；经加热，升华的碳化硅原料通过石墨通道沿重力方向移动至碳化硅单晶生长室。本发明提供缩短工艺时间和降低成本的方式制造高品质碳化硅晶的装置。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅单晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022053597.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
CN213538159U
授权日 ：
2021-06-25
发明人 ：
裴悠松徐洙莹李钟海
申请人 ：
山东国晶电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省东营市东营区云门山路1123号东营区石油科技产业园1期1号
代理机构 ：
济南智本知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张平平
优先权 ：
CN202022053597.X
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B25/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-06-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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