碳化硅单晶锭生长装置

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摘要

本发明的实例提供如下的碳化硅单晶锭生长装置，即，收纳有晶锭的原料的原料收纳部的内部直径小于晶种的直径，从而可以在增加碳化硅单晶锭的直径的同时提升碳化硅单晶锭的品质。

基本信息

专利标题：

碳化硅单晶锭生长装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110820046A

申请号：

CN201910739465.1

公开（公告）日：

2020-02-21

申请日：

2019-08-12

授权号：

CN110820046B

授权日：

2022-05-13

发明人：

崔正宇金政圭具甲烈高上基张炳圭

申请人：

SKC株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

上海弼兴律师事务所

代理人：

薛琦

优先权：

CN201910739465.1

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 C30B11/00

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/36

碳化物

法律状态

2022-05-13 ：

授权

2022-01-14 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : C30B 29/36
变更事项 : 申请人
变更前 : 赛尼克公司
变更后 : 赛尼克公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国首尔
变更后 : 韩国忠清南道

2021-12-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : C30B 29/36
登记生效日 : 20211209
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : SKC株式会社
变更后权利人 : 赛尼克公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国首尔

2020-03-17 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : C30B 29/36
申请日 : 20190812

2020-02-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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