本发明公开了一种碳化硅单晶的生长装置，包括：加热单元、保温单元和晶体生长单元，所述晶体生长单元设置于所述加热单元内部，所述晶体生长单元包括：坩埚，用于盛放碳化硅粉料并提供碳化硅单晶的生长场所；提拉杆，固定于所述坩埚顶部，所述提拉杆用于将所述坩埚拉出或放入所述加热单元。本发明提供的碳化硅单晶的生长装置，在晶体生长单元的坩埚顶部设置提拉杆，通过控制提拉杆拉出和下沉坩埚，能够在碳化硅晶体生长温度下，对保温单元进行抽真空处理，彻底让石墨保温毡中吸附的氮气分子脱附，显著降低石墨毡保温层中的氮含量，且不会造成籽晶的损伤，从而获得高纯度高质量的碳化硅单晶。