本发明提供了一种碳化硅单晶生长方法及裂纹闭合生长方法，其中一种碳化硅单晶裂纹闭合生长方法通过设置合理的碳化硅晶体生长工艺参数，从而实现碳化硅晶体的裂纹闭合，在开裂晶体上长出完美的单晶层，再将得到的无裂纹单晶层作为籽晶，继续来生长碳化硅单晶。然后通过将含裂纹部分的碳化硅切除，得到无裂纹碳化硅晶锭，被切除的裂纹部分碳化硅晶锭可重新进行无裂纹碳化硅晶锭的制备。解决了碳化硅晶体生长和晶体加工过程中，应力开裂晶体的回收再利用的问题。此外，一种碳化硅单晶生长方法，相比现有技术的技术方案，避免了籽晶粘接，工艺一致性和稳定性更好，对控制晶体生长的缺陷更有利。