在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明一种在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选择一大失配衬底；(2)在大失配衬底上生长氧化物缓冲层，氧化物缓冲层可以缓解衬底与氮化镓薄膜之间的晶格失配，阻隔金属镓与衬底反应；(3)在氧化物缓冲层上生长外延层。
基本信息
专利标题 ：
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967778A
申请号 ：
CN200510086899.4
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘喆李晋闽王军喜王晓亮王启元刘宏新王俊曾一平
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200510086899.4
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 C01G15/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2009-02-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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