生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底
公开
摘要
本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，有效弥补现有技术中在硅衬底上制备氮化镓外延材料而只能制备低耐压电子功率器件的缺陷。
基本信息
专利标题 ：
生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582711A
申请号 ：
CN202210204788.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贾传宇张国义孙永健陆羽
申请人 ：
北京大学东莞光电研究院
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李秋梅
优先权 ：
CN202210204788.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C30B25/18 C30B29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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