同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种同质外延生长的氮化镓的方法，其包括以下步骤：对氮化镓衬底进行外延级别的清洗；在所述氮化镓衬底表面离子注入Fe；将所述氮化镓衬底放入生长反应室中进行热清洁；在预设条件下于所述氮化镓衬底表面同质外延生长氮化镓外延层。本发明提供的同质外延生长的氮化镓的方法，通过在氮化镓衬底表面离子注入Fe，注入的Fe能够在生长氮化镓外延层的过程中扩散对生长界面进行补偿，以改善生长界面处的Si杂质聚集问题；且该方法工艺简单，适合大规模产业化。
基本信息
专利标题 ：
同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496749A
申请号 ：
CN202210088289.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡亚伟张育民夏嵩渊王建峰徐科
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区若水路398号
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
仲崇明
优先权 ：
CN202210088289.1
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/02 C23C16/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/265
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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