一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法,包括以下步骤:步骤1:取c面蓝宝石单晶衬底;步骤2:在蓝宝石衬底上生长出氮化硼二维材料;步骤3:生长了氮化硼二维材料的蓝宝石衬底表面上,使用卤化物气相外延生长出氮化镓厚膜;步骤4:降低至室温,获得高质量的氮化镓厚膜。本发明可提高氮化镓外延的晶体质量,减少因晶格失配产生的位错,有助于机械剥离氮化镓外延。

基本信息
专利标题 :
一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114438596A
申请号 :
CN202210102518.0
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孔玮马亚庆杨军
申请人 :
西湖大学
申请人地址 :
浙江省杭州市西湖区转塘街道石龙山街18号
代理机构 :
成都行之智信知识产权代理有限公司
代理人 :
李林
优先权 :
CN202210102518.0
主分类号 :
C30B29/40
IPC分类号 :
C30B29/40  C30B25/18  C30B33/00  C23C16/34  C23C16/01  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20220127
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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