一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法，包括以下步骤：步骤1：取c面蓝宝石单晶衬底；步骤2：在蓝宝石衬底上生长出氮化硼二维材料；步骤3：生长了氮化硼二维材料的蓝宝石衬底表面上，使用卤化物气相外延生长出氮化镓厚膜；步骤4：降低至室温，获得高质量的氮化镓厚膜。本发明可提高氮化镓外延的晶体质量，减少因晶格失配产生的位错，有助于机械剥离氮化镓外延。
基本信息
专利标题 ：
一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438596A
申请号 ：
CN202210102518.0
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孔玮马亚庆杨军
申请人 ：
西湖大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区转塘街道石龙山街18号
代理机构 ：
成都行之智信知识产权代理有限公司
代理人 ：
李林
优先权 ：
CN202210102518.0
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B25/18 C30B33/00 C23C16/34 C23C16/01
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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