一种外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置

授权

摘要

本发明涉及外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置，其包括使用外延方法外延生长未掺杂氮化镓层、重掺杂氮化镓牺牲层和目标层，结合特定方式的电化学剥离方法实现了晶圆级外延薄膜的完整剥离，并且脱离后的外延衬底能够循环使用，有效地降低氮化物的生长成本，实现绿色外延。使用该电化学剥离的方式，将外延薄膜完整剥离并能够转移至目标衬底上，既可实现Si基集成电路、柔性器件等的制备，又可以释放其生长过程中产生的固有内应力，提高器件整体的性能与用途。本发明的剥离方法操作简单，具有较高的可重复性，制备成本低，在氮化物光电器件的研制方面有着广泛的应用前景。

基本信息

专利标题：

一种外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112018033A

申请号：

CN202010815225.8

公开（公告）日：

2020-12-01

申请日：

2020-08-13

授权号：

CN112018033B

授权日：

2022-05-31

发明人：

王幸福董建奇姜健

申请人：

华南师范大学

申请人地址：

广东省广州市天河区中山大道西55号

代理机构：

佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

王余钱

优先权：

CN202010815225.8

主分类号：

H01L21/78

IPC分类号：

H01L21/78 H01L21/67 H01L29/20 H01L29/205 H01S3/16 H01S5/30 H01S5/323 H01S5/343

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

法律状态

2022-05-31 ：

授权

2020-12-18 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20200813

2020-12-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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