一种晶圆剥离方法及晶圆剥离装置

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摘要

一种晶圆剥离方法及晶圆剥离装置，属于半导体材料技术领域。晶圆剥离方法包括：在晶锭表面形成一层固体冷媒，使用激光束从固体冷媒表面开始加工，激光束作用于固体冷媒表面后，固体冷媒与激光束接触的区域被去除，激光束与晶锭直接接触并在晶锭内部加工出改质点，激光束相对于晶锭运动过程中依次在晶锭内部加工出连续的多个改质点，多个改质点形成改质层，当改质层贯穿于晶锭内部，剥离得到晶圆。每加工完预设面积的改质点或改质层后且激光束运动到下一个待加工改质点的区域后，在裸露的晶锭表面重新形成固体冷媒。固体冷媒能够对激光束作用点周边的未加工区域进行有效保护，增强晶锭内部诱导的内应力，提高剥离晶圆的质量。

基本信息

专利标题：

一种晶圆剥离方法及晶圆剥离装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112404697A

申请号：

CN202011244662.5

公开（公告）日：

2021-02-26

申请日：

2020-11-09

授权号：

CN112404697B

授权日：

2022-04-05

发明人：

王宏建赵卫杨涛何自坚王自

申请人：

松山湖材料实验室

申请人地址：

广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

余菲

优先权：

CN202011244662.5

主分类号：

B23K26/00

IPC分类号：

B23K26/00 B23K26/70