晶圆雷射剥离作业总成系统
授权
摘要
一种晶圆雷射剥离作业总成系统，包括有一晶圆入口及一晶圆出口；一雷射剥离模组，用以使晶圆与玻璃基板解键分离；一玻璃移除模组，用以将解键后的玻璃基板自晶圆上移除；一校准模组，用以检查晶圆的外观并辨识晶圆外周多余的部分；一裁切模组，用以切除晶圆外周多余的部分；一清洗模组，用以去除晶圆上经雷射剥离后的残胶；一输送模组，其连接晶圆入口及晶圆出口，并连接上述各模组，以将晶圆自晶圆入口收入，输送至上述各模组执行作业后，再自晶圆出口送出。
基本信息
专利标题 ：
晶圆雷射剥离作业总成系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022017422.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-15
授权号 ：
CN212907667U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
刘大有简志桦赖建华陈世勋
申请人 ：
刘大有;赖建华;简志桦;陈世勋
申请人地址 ：
中国台湾台中市
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱丽华
优先权 ：
CN202022017422.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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