高功率光纤雷射结构
实质审查的生效
摘要
一种高功率光纤雷射结构，为一应用于高功率雷射放大器的泵浦源技术，主要包括一种子光源的雷射主波长落在～1020nm的雷射二极管，此光源将经过一光隔离器进入由一泵浦源激光器、一光结合器及一镱掺杂的增益光纤组成的光纤式雷射放大器，并以一局部散热该增益光纤的降温装置实现硅基光纤中输出高功率1010～1020 nm雷射作为泵浦源之技术，而利用此散热装置调变该增益光纤周围温度。藉由此高功率雷射泵浦源设计减少增益光纤所产生的自发辐射放大（amplified spontaneous emission,ASE）与降低泵浦源在增益光纤端产生的热累积。
基本信息
专利标题 ：
高功率光纤雷射结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512883A
申请号 ：
CN202011283846.2
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李清泉苏信嘉何淙润
申请人 ：
虹竣科技有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北市信义区松山路439号3楼
代理机构 ：
长沙正奇专利事务所有限责任公司
代理人 ：
何为
优先权 ：
CN202011283846.2
主分类号 ：
H01S3/042
IPC分类号 ：
H01S3/042 H01S3/067 H01S3/0933
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 3/042
申请日 : 20201117
申请日 : 20201117
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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