一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及碳化硅晶圆片制造技术领域，公开了一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置，包括：将碳化硅晶锭作为阳极通过碳化硅晶锭上的导电层连接电压输出端并在刻蚀液中设置阴极连接电压输入端；将激光聚焦在所述碳化硅晶锭内部的预定深度处从所述碳化硅晶锭的边缘开始向内进行扫描形成非晶层的同时采用大于非晶层表面两侧的单晶层对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述碳化硅晶锭表面；在照射的过程中向碳化硅晶锭提供正恒电位对非晶层进行刻蚀，快速实现单晶层的剥离，得到碳化硅晶圆片。本发明采用的刻蚀工艺方法，可快速获得厚度可控的碳化硅晶圆片。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114523220A
申请号 ：
CN202210407355.7
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-04-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王蓉耿文浩皮孝东杨德仁
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼
代理机构 ：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN202210407355.7
主分类号 ：
B23K26/53
IPC分类号 ：
B23K26/53 B23K26/70
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B23
机床；其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工
B23K26/00
用激光束加工，例如焊接、切割、或打孔
B23K26/50
通过发射激光束通过工件或在工件内来加工的
B23K26/53
通过改变或重建工件内部材料，例如生产断裂初始裂纹
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B23K 26/53
申请日 : 20220419
申请日 : 20220419
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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