一种预切割的碳化硅晶圆片
授权
摘要
本实用新型公开了一种预切割的碳化硅晶圆片，包括碳化硅衬底、功能层和背金层，所述功能层设有若干器件区以及位于相邻器件区之间的切割道，所述背金层设有与所述切割道相对应的开槽区，所述开槽区底部设有至少两条与对应切割道的延伸方向平行并深入所述衬底的凹槽。本实用新型的晶圆片是对划片工艺的预切割，一方面保证了晶圆分成单颗芯粒时不会受背面金属影响，解决了金属延展性造成的双晶异常，另一方面可以引导划片裂片中的受压应力沿着切割道平行方向，有效降低垂直于切割道方向的崩边比例，提高了划片效率和制程良率。
基本信息
专利标题 ：
一种预切割的碳化硅晶圆片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020131342.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-20
授权号 ：
CN211350578U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
陈为彬林志东陶永洪史春林程江涛吴垚鑫
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202020131342.8
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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