晶圆切割方法及切割设备
授权
摘要
本发明公开的晶圆切割方法，通过提供的晶圆切割设备实施，包括了S10预处理步骤、S20切割道中心定位步骤、S30第一激光装置定位步骤、S40第一开槽步骤、S50第二开槽步骤、S60第三开槽步骤、S70第二激光装置定位步骤、S80激光槽开槽步骤和S90切割步骤。通过采用单束窄激光分层次开槽，从而形成激光槽，然后再进行切割的工艺，有效解决了现有氮化镓基晶圆切割工艺存在的容易导致芯片失效的问题。
基本信息
专利标题 ：
晶圆切割方法及切割设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113369677A
申请号 ：
CN202110600517.4
公开（公告）日 ：
2021-09-10
申请日 ：
2021-05-31
授权号 ：
CN113369677B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
詹苏庚王红吴迪张震彭立和李志鹏
申请人 ：
深圳赛意法微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区福保街道福田保税区桃花路16号
代理机构 ：
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
李健
优先权 ：
CN202110600517.4
主分类号 ：
B23K26/02
IPC分类号 ：
B23K26/02 B23K26/046 B23K26/06 B23K26/38 B23K26/60 H01L21/304 H01L21/67 H01L21/8252
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B23
机床；其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工
B23K26/00
用激光束加工，例如焊接、切割、或打孔
B23K26/02
工件的定位和观测，如相对于冲击点；激光束的对正、瞄准或聚焦
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-09-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B23K 26/02
申请日 : 20210531
申请日 : 20210531
2021-09-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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