晶圆切割方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种晶圆切割方法,提供一晶圆键合结构,所述晶圆键合结构包括依次堆叠的至少两个晶圆,每个所述晶圆包括衬底、形成于所述衬底上的介质层以及形成于所述介质层中的切割道焊盘;在所述晶圆键合结构的最顶部的晶圆的介质层上形成第一氧化层;沿所述最顶部的晶圆的切割道焊盘进行切割以在所述晶圆键合结构中形成第一沟槽,所述第一沟槽贯穿至少一个晶圆并暴露出最底层的晶圆的衬底;在所述第一沟槽内填充第二氧化层;在所述第二氧化层上形成混合键合界面;去除所述第一沟槽内的第二氧化层;以及,对所述最底层的晶圆的衬底进行切割。解决了切割多层堆叠的晶圆时,熔渣堆积严重导致后续无法有效去除的问题。

基本信息
专利标题 :
晶圆切割方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446876A
申请号 :
CN202210376505.2
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-04-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘天建田应超曹瑞霞任小宁
申请人 :
湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新四路18号新芯生产线厂房及配套设施2幢OS6号
代理机构 :
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
曹廷廷
优先权 :
CN202210376505.2
主分类号 :
H01L21/78
IPC分类号 :
H01L21/78  B23K26/36  B23K26/60  B23K10/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20220412
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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