切割晶片的方法
专利权的终止
摘要

提供晶片,并在该晶片的正面形成正面切割道图案。接着在该晶片的背面形成对应于该正面切割道图案的背面切割道图案。随后将该晶片贴附于可扩张膜上,并进行裂片工艺,利用拉撑该可扩张膜以使该晶片断裂而形成多个管芯。

基本信息
专利标题 :
切割晶片的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101026125A
申请号 :
CN200610004129.5
公开(公告)日 :
2007-08-29
申请日 :
2006-02-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨辰雄
申请人 :
探微科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾桃园县
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200610004129.5
主分类号 :
H01L21/78
IPC分类号 :
H01L21/78  H01L21/301  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2016-04-06 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101654742704
IPC(主分类) : H01L 21/78
专利号 : ZL2006100041295
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20150221
2009-04-08 :
授权
2007-10-24 :
实质审查的生效
2007-08-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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