晶片的加工方法
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摘要
提供晶片的加工方法，即使是非晶体等晶片，也能够不产生弯曲行进地进行分割。一种晶片的加工方法，沿着多条分割预定线对晶片(W)进行分割，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而沿着分割预定线形成分割起点用改质层(65a～65c)；以及对晶片赋予外力而以分割起点用改质层为起点将晶片沿着分割预定线分割。构成为当在晶片的背面(61)侧形成分割起点用改质层(65c)时，在分割起点用改质层的形成之前，按照第一输出以下的输出照射激光束而在背面附近形成作为改质层的对裂纹延伸方向进行引导的裂纹引导层(66)之后，在与裂纹引导层同等的位置形成分割起点用改质层。
基本信息
专利标题 ：
晶片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109865938A
申请号 ：
CN201811432831.0
公开（公告）日 ：
2019-06-11
申请日 ：
2018-11-28
授权号 ：
CN109865938B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
深谷幸太蔡龙陈之文
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
乔婉
优先权 ：
CN201811432831.0
主分类号 ：
B23K26/062
IPC分类号 ：
B23K26/062 B23K26/38 B23K26/70 H01L21/78
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B23
机床；其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工
B23K26/00
用激光束加工，例如焊接、切割、或打孔
B23K26/02
工件的定位和观测，如相对于冲击点；激光束的对正、瞄准或聚焦
B23K26/06
激光束的成形，例如，利用掩膜或多次聚焦
B23K26/062
直接控制激光束的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-11-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B23K 26/062
申请日 : 20181128
申请日 : 20181128
2019-06-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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