晶片的加工方法
公开
摘要
本发明提供晶片的加工方法，能够解决在晶片内部沿着分割预定线形成改质层，磨削背面侧而分割成一个个器件芯片时，微细的大致三角形碎片从晶片的外周区域飞散而损伤器件芯片的问题。晶片的加工方法包含：改质层形成工序，将相对于晶片具有透射性的波长的激光光线的会聚点定位在分割预定线的内部进行照射以形成改质层；以及背面磨削工序，将晶片保持于磨削装置的卡盘工作台，对晶片背面进行磨削而使其薄化，并且借助从形成于分割预定线的内部的改质层朝向形成于晶片正面的分割预定线产生的裂纹，将晶片分割成一个个器件芯片。在该改质层形成工序中，若会形成表面积比该器件芯片小的三角形碎片，则在会划分出该三角形碎片的区域中停止照射激光光线。
基本信息
专利标题 ：
晶片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613725A
申请号 ：
CN202011414820.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中村胜山冈久之
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
于靖帅
优先权 ：
CN202011414820.7
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/268
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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