SiC晶片的加工方法
公开
摘要
本发明提供SiC晶片的加工方法，避免SiC晶片破损或损伤。该方法包含：保护部件配设工序，在SiC晶片的正面上配设保护部件；磨削工序，将保护部件侧保持于第1卡盘工作台，残留与外周剩余区域对应的区域而在与器件区域对应的区域定位磨削磨具来进行磨削，在外周剩余区域残留环状增强部而将SiC晶片薄化；金属膜包覆工序，在至少与器件区域对应的背面上包覆金属膜；剥离工序，将保护部件剥离；一体化工序，将SiC晶片与框架一体化；环状增强部去除工序，使器件区域与外周剩余区域的边界断裂而将环状增强部去除；分割预定线检测工序，从第2卡盘工作台侧检测分割预定线；和分割工序，使分割预定线断裂而将器件区域分割成各个器件芯片。
基本信息
专利标题 ：
SiC晶片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114603727A
申请号 ：
CN202111367151.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
灰本隆志
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨俊波
优先权 ：
CN202111367151.7
主分类号 ：
B28D5/02
IPC分类号 ：
B28D5/02 B24B1/00 H01L21/78 H01L21/683 B23K26/36 B23K26/70
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B28
加工水泥、黏土或石料
B28D
加工石头或类似石头的材料
B28D5/00
宝石、宝石饰物、结晶体的精细加工，例如半导体材料的精加工；所用设备
B28D5/02
用旋转工具的，例如钻具
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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