晶片的加工方法

授权

摘要

提供晶片的加工方法，对于采用先划片的情况下的半导体器件的背面，不使生产性恶化而对各个器件敷设固晶用树脂。一种晶片的加工方法，在该晶片中，在正面上由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件，该方法具有如下的工序：保护部件配设工序，在被分割成各个器件芯片的晶片的正面上配设对该正面进行保护的保护部件；树脂敷设工序，将液状的固晶用树脂涂布在晶片的背面上并使其固化，从而将固晶用的树脂敷设在各个器件芯片的背面上；以及分离工序，将背面上敷设有该树脂的该器件芯片从晶片分离。

基本信息

专利标题：

晶片的加工方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN106469681A

申请号：

CN201610685706.5

公开（公告）日：

2017-03-01

申请日：

2016-08-18

授权号：

CN106469681B

授权日：

2022-05-17

发明人：

灰本隆志小清水秀辉荒谷侑里香杉谷哲一

申请人：

株式会社迪思科

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

优先权：

CN201610685706.5

主分类号：

H01L21/78

IPC分类号：

H01L21/78 H01L21/683

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

法律状态

2022-05-17 ：

授权

2018-08-17 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20160818

2017-03-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载